2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[12a-N304-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭)

松川 貴(産総研)

11:00 〜 11:15

[12a-N304-8] Asymmetrically-strained (110) SGOI pMOSFETs for hole mobility enhancement in extremely-thin body channels

〇(DC)CHIATSONG CHEN1、Ryo Yokogawa2,3、Kasidit Toprasertpong1、Atsushi Ogura2,3、Mitsuru Takenaka1、Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo、2.Meiji Univ.、3.MREL)

キーワード:SGOI, extremely-thin body, asymmetric strain

We demonstrate high performance asymmetric strain (110) SiGe-on-insulator (SGOI) pFETs with body thickness (Tbody) down to 6.4 nm by combining Ge condensation with channel width narrowing. Thanks to asymmetric strain, effective hole mobility (μeff) of 807 cm2/Vs is achieved on 6.4-nm-thick SGOI, leading to 2x mobility enhancement against biaxial strain.