[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-4] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた SiC-Schottky Barrier Diode 内部の過渡的温度測定

〇藤本 渓也¹、花房 宏明¹、佐藤 拓磨¹、東 清一郎¹ (1.広大先進理工)

キーワード：SiC、光学干渉非接触温度測定技術

デバイスの小型化・高性能化に伴い, 自己発熱による温度上昇がより深刻となり, 性能・寿命の劣化につながっている. しかし, 従来の測定方法ではデバイス内部の過渡的な温度変化を測定することはできていない. 我々はこれまでにウェハ内部を透過する光の干渉を利用した光学干渉非接触温度測定技術(Optical-Interference Contactless Thermometry : OICT) の開発を行ってきた. OICTを用いることにより, これまでは測定できていなかったウェハ内部の熱拡散過程を直接的にとらえることができる. 本研究では, OICTを応用してSiC-Schottky Barrier Diode (SBD) 動作時の内部の熱拡散過程の可視化を試みた.