[12a-N307-1~11] 17.3 Layered materials

△ [12a-N307-11] Air-stable electron doping of monolayer MoS₂ by crown-ether complexes

〇(DC)Hiroto Ogura¹, Masahiko Kaneda¹, Yusuke Nakanishi¹, Yoshiyuki Nonoguchi², Jiang Pu³, Mari Ohfuchi⁴, Toshifumi Irisawa⁵, Hong En Lim¹, Takahiko Endo¹, Kazuhiro Yanagi¹, Taishi Takenobu³, Yasumitsu Miyata¹ (1.TMU, 2.Kyoto Inst. of Tech., 3.Nagoya Univ., 4.Fujitsu Lab., 5.AIST)

Keywords:Transition metal dichalcogenides, Chemical doping, Crown-ether complexes

原子層半導体である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、その二次元構造に由来する特異な物性やデバイス応用の観点から注目を集めている。TMDCの電気伝導特性の制御に向け、化学ドープによる電荷移動は有効な手法として研究されてきた。本研究では、クラウンエーテル錯体を用いることで、単層MoS₂に対し、従来の手法を超える非常に安定かつ高濃度な電子ドープを実現した。