[12a-N307-1~11] 17.3 層状物質

[12a-N307-4] Ag-TFSI処理によるWSe₂へのホールドーピング

〇(M2)鈴木 駿太¹、小倉 宏斗¹、中西 勇介¹、林 宏恩¹、遠藤 尚彦¹、上野 啓司²、野々口 斐之³、宮田 耕充¹ (1.都立大理、2.埼玉大院理工、3.京都工繊大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、キャリアドープ

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、その優れた半導体特性やエレクトロニクス応用より、近年注目を集めている。TMDCに対する化学ドープによるキャリア制御は有効な手法の一つであり、汎用性の高い様々なドーパントの探索が重要な課題となっている。一方、有機半導体やCNTの研究では、Ag-TFSIが比較的安定なホールドーパントとして知られている。本研究では、このAg-TFSIを用いた多層WSe₂へのホールドーピングについて報告する。