[12a-N307-1~11] 17.3 Layered materials

[12a-N307-7] Determination of atomic orbital in the valence band of SnS by ARPES measurement

〇ISSEI SUZUKI¹, Sakiko Kawanishi¹, Takahisa Omata¹, Shin-ichiro Tanaka² (1.Tohoku Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:SnS, ARPES

半導体のバンド端の電子構造はその光学的・電気的性質を決定するものであり、実験的なアプローチで調べることが重要である。本研究では、SnS単結晶について、分子科学研究所の放射光施設（UVSOR）にて異なる励起光のエネルギーで角度分解光電子分光（ARPES）スペクトルを測定することで、価電子帯を構成する原子軌道を実験的に同定した。