2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12a-N402-1~11] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N402 (口頭)

尾崎 壽紀(関西学院大)、寺西 亮(九大)

11:45 〜 12:00

[12a-N402-11] Fe基板上に作製したMgB2薄膜へのポストアニール効果

〇(M1)山崎 輝1、神部 大翔1、川山 巌1、岩中 拓夢2、楠 敏明2、一瀬 中3、土井 俊哉1 (1.京大、2.日立、3.電中研)

キーワード:超伝導、MgB2薄膜、ポストアニール

EB蒸着法を用いてFe基板上にMgB2薄膜を作製し、650℃で1、3、5時間の後アニールを行った。1時間の後アニールでは超伝導特性が向上したが、3、5時間の後アニールでは超伝導特性が低下した。これらのことから、Fe基板上に作製したMgB2薄膜を650℃で後アニールするとFe基板からFe元素がMgB2薄膜に拡散し、超伝導特性が低下したことが分かった。