[12a-N403-1~7] 11.4 アナログ応用および関連技術

[12a-N403-2] 輻射加熱によるNb₃Ge超伝導薄膜の作製２

〇川上 彰¹、寺井 弘高¹、鵜澤 佳徳² (1.情通機構、2.国立天文台)

キーワード：SISミキサ、Nb3Ge、THz

1.5 THz帯SISミキサの実現を目指し，A15型超伝導材料であるNb₃Ge薄膜成膜法の検討を行っている．成膜方法としては多元同時スパッタ法を用いた．基板の大面積化を目的として，ヒーターとは非接触で基板加熱を行う輻射加熱法を試みた．2インチサファイア基板上全面に，超伝導転移温度17.2 K，抵抗率58.9 μΩcmのNb₃Ge 薄膜作製に成功した．