[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-1] GaAs(001)上InAs量子ドット上のGaAsキャップ成長初期過程

〇(M2)若原 夏希¹、ロカ ロネル¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：InAs 量子ドット、キャッピング