[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12a-N406-2] MOVPE法によりGaAs基板上に成長したZnドープInAs膜のラマン分光法による評価

〇平田 康史¹、中川 翔太¹、荒井 昌和¹、前田 幸治¹ (1.宮大工)

キーワード：ラマン分光法、メタモルフィック、インジウムヒ素

MOVPE法を用いて中赤外波長用超格子の基板としてメタモルフィック成長を用いて作製し、GaAs基板上にInAsにZnをドープしたバッファ層を成長させて、ラマン分光法とAFMを用いて結晶性の評価を行った。Znを厚く成長させると、結晶性、表面の平坦性が良くなった。Znドープにより表面の拡散長が短くなり結晶核の発生数が抑えられ、結晶性が改善されたことが考えられる。