[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-4] InGaAs量子ドットの光スピン特性の向上にむけたpドープ方法の検討

〇阪元 和弥¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：半導体量子ドット、時間分解フォトルミネッセンス、ｐドーピング

III-V族半導体量子ドット(QD)は強い量子効果により温度に依存しない光学特性とスピン保持特性を持つことから、光電スピン変換素子の有望な活性層材料である。また、QDへのpドーピングにより発光強度が増加するとともに、基底準位や励起準位の光スピン特性が向上する。本研究では、最適なpドーピング条件を確立するために、pドープ方法が異なるInGaAs QD試料を作製し、円偏光時間分解photoluminescence (PL)測定によりそれらの光スピン特性を研究した。