[12a-N406-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-N406-6] MBE growth of (110) strained InGaAs quantum wells with long carrier lifetime at room temperature

〇Satoshi Iba¹, Yuzo Ohno^1,2 (1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:GaAs(110), carrier lifetime, spin relaxation time

GaAs(110)面方位の量子井戸は長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピン-円偏光間の光学遷移選択則を利用した円偏光発光素子への応用に注目が集まっている。本研究では、(110)歪InGaAs量子井戸のMBE成長において従来とは大きく異なる成長条件を探索し、既報の40倍に及ぶ長いキャリア寿命を得るとともに、当該材料の電子スピン緩和時間を明らかにしたので報告する。