[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-6] 室温で長いキャリア寿命を有する(110)歪InGaAs量子井戸のMBE成長

〇揖場 聡¹、大野 裕三^1,2 (1.産総研、2.筑波大)

キーワード：GaAs(110)、キャリア寿命、スピン緩和時間

GaAs(110)面方位の量子井戸は長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピン-円偏光間の光学遷移選択則を利用した円偏光発光素子への応用に注目が集まっている。本研究では、(110)歪InGaAs量子井戸のMBE成長において従来とは大きく異なる成長条件を探索し、既報の40倍に及ぶ長いキャリア寿命を得るとともに、当該材料の電子スピン緩和時間を明らかにしたので報告する。