[12a-S301-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-S301-1] 爆轟法ナノダイヤモンド中のSiV中心を用いた温度感度測定

〇内田 岳¹、藤原 正規¹、大木 出¹、鶴井 明彦²、劉 明²、西川 正浩²、水落 憲和¹ (1.京大化研、2.ダイセル)

キーワード：SiV中心、ダイヤモンド、爆轟法

ケイ素-空孔(SiV)中心を含むナノダイヤモンドは細胞内微小領域における温度プローブとしての応用が期待されている。近年、我々は安価かつ大量生産が可能である爆轟法によってSiV中心含有ナノダイヤモンド(SiV-DND)を合成し、蛍光スペクトルが温度上昇に伴って長波長側に移動することを報告した。本研究では、分級で得た平均粒子径約20 nmのSiV-DNDを用いて、さらに温度感度を見積もったので報告する。