[12a-S301-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[12a-S301-8] 高温電子線照射によるナノダイヤモンドへのNVセンタ形成

〇阿部 浩之¹、佐伯 誠一¹、大島 武¹ (1.量研)

キーワード：蛍光ナノダイヤモンド、NVセンタ、高温電子線照射

より高輝度・高濃度のNVセンタを含有する蛍光ナノダイヤモンド（FNDs）を形成することを目的とし、高効率なNVセンタ形成のために電子線照射による高発光強度FNDs形成を目指している。電子線照射および熱処理条件の最適化を進めており、本報告はその照射モード（高温・室温）の違いにより形成させたFNDsの発光強度について調べた。結果として高温照射の方が室温照射よりも高発光強度のFNDs形成の優位性が見られた。