Stochastic magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer

Keito Kobayashi; Keisuke Hayakawa; William Borders; Shun Kanai; Junta Igarashi; Hideo Ohno; Shunsuke Fukami

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[12a-S302-1~7] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2021年9月12日(日) 09:00 〜 10:45 S302 (口頭)

伊藤啓太(東北大)

09:45 〜 10:00

▲ [12a-S302-4] Stochastic magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer

〇(M1)Keito Kobayashi^1,2、Keisuke Hayakawa^1,2、William Borders^1,2、Shun Kanai^1,3,4,5、Junta Igarashi^1,2、Hideo Ohno^1,2,4,5,6,7、Shunsuke Fukami^1,2,4,5,6,7 (1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.、2.Graduate School of Engineering, Tohoku Univ.、3.CSRN, Tohoku Univ.、4.DEFS, Tohoku Univ.、5.CSIS, Tohoku Univ.、6.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、7.CIES, Tohoku Univ.)

キーワード：magnetic tunnel junction, probabilistic bit, probabilistic computer