2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[12a-S302-1~7] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2021年9月12日(日) 09:00 〜 10:45 S302 (口頭)

伊藤 啓太(東北大)

10:15 〜 10:30

[12a-S302-6] Giant tunnel magnetoresistance and perpendicular magnetic anisotropy in (111)-oriented magnetic tunnel junctions with L11-ordered ferromagnetic alloys

Keisuke Masuda1、Hiroyoshi Itoh2、Yoshiaki Sonobe1、Hiroaki Sukegawa1、Seiji Mitani1、Yoshio Miura1 (1.NIMS、2.Kansai Univ.)

キーワード:magnetic tunnel junctions, TMR, magnetic anisotropy

We theoreticaly studied the tunnel magnetoresistance (TMR) effect and magnetic anisotropy in unconventional (111)-oriented magnetic tunnel junctions (MTJs) with L11-ordered ferromagnetic alloys. We estimated the TMR ratios and magnetic anisotropy energies by using the first-principles calculations and found that the MTJs with Co-based L11 alloys have both high TMR ratios and large perpendicular magnetic anisotropies (PMA). In this talk, we will show the detailed calculation results and discuss the underlying mechanism for the obtained high TMR ratios and large PMA.