[12p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12p-N101-11] Efficiency Improvement of DUV-LED on High-Temperature Annealed AlN Template

〇Kenjiro Uesugi^1,2, Shigeyuki Kuboya¹, Takao Nakamura^2,4, Kanako Shojiki³, Shiyu Xiao¹, Hideto Miyake^2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 4.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:AlN, Annealing, DUV-LED

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレートを用いてDUV-LEDを作製した。MOVPE成長条件の最適化によりAlGaN表面の平坦性を向上させ、DUV-LEDの特性向上を実現した。ピーク波長264 nmにおいて、外部量子効率の最大値は2.1%、光出力は34 mW(400 mA注入)を得た。