[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-11] 高温アニールしたAlN上におけるDUV-LEDの高効率化

〇上杉 謙次郎^1,2、窪谷 茂幸¹、中村 孝夫^2,4、正直 花奈子³、肖 世玉¹、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地創戦略企、2.三重大院地域イノベ、3.三重大院工、4.東大生研)

キーワード：AlN、アニール、深紫外発光ダイオード

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレートを用いてDUV-LEDを作製した。MOVPE成長条件の最適化によりAlGaN表面の平坦性を向上させ、DUV-LEDの特性向上を実現した。ピーク波長264 nmにおいて、外部量子効率の最大値は2.1%、光出力は34 mW(400 mA注入)を得た。