ナノサイズのピラー形状にパターン化されたAlN を用いたAlGaN の低転位密度化

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

17:00 〜 17:15

〇(M2)大森智也¹、田中隼也¹、手良村昌平¹、下川萌葉¹、長谷川亮太¹、岩山章^1,2、三宅秀人²、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹ (1.名城大・理工、2.三重大・院・地域イノベ)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN