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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

小島一信(東北大)、新田州吾(名大)、久志本真希(名大)

17:45 〜 18:00

[12p-N101-18] スパッタAlNテンプレート上Al_0.6Ga_0.4N膜の転位密度の低減とUV-B LDへの応用

〇(M2)下川萌葉¹、大森智也¹、山田和輝¹、岩山章^1,2、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、三宅秀人² (1.名城大、2.三重大)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN