[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-3] 混合鉱化剤を用いた低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

〇冨田 大輔¹、Saskia Schimmel¹、斉藤 真^2,3、包 全喜^2,4、石黒 徹²、本田 善央¹、秩父 重英²、天野 浩¹ (1.名大未来材料・システム研、2.東北大多元研、3.三菱ケミカル、4.日本製鋼所)

キーワード：窒化ガリウム、アモノサーマル法、バルク結晶

アモノサーマル法によるGaN結晶の育成では、鉱化剤の種類により溶解度の温度依存性、結晶成長速度、結晶の品質が大きく変化することが知られている。混合鉱化剤は鉱化剤の組み合わせや組成を変えることで結晶成長速度や結晶成長方位を制御しうる重要な手法である。そこで本講演では混合鉱化剤を用いて低圧酸性アモノサーマル法によりGaN結晶を育成した結果について報告する。