[12p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [12p-N101-4] Investigation of Nitrogen desorption properties toward solubility improvement in the Na flux method

〇Ricksen Tandryo¹, Kosuke Murakami¹, Hitoshi Kubo¹, Masayuki Imanishi¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:gallium nitride, liquid phase growth, solubility

我々はNaフラックス法を用いて高品質GaN結晶の作製に取り組んでいる。厚膜化のために成長速度の向上が必須であり、成長を律速するGa-Na溶液中の窒素溶解量を飛躍的に向上させるパラメータを見出す必要がある。近年、電気抵抗測定を用いたGa-Na溶液中の窒素溶解量の計測手法が見出され­、当該手法を用いて高温における窒素溶解量が大幅に向上していることを報告した。一方、高温においてはGaNの分解も顕著であり、成長速度の向上は見られなかった。そこで、フラックス中の窒素溶解量を高温で促進した上で、従来の温度に降温した後成長する手法を新たに提案し、成長速度を2.5倍まで向上することに成功した。この現象は一度フラックスに溶解した窒素が脱離しにくいことを示唆している。そこで、本研究は、降温前後におけるGa-Na溶液中の窒素溶解量変化を電気抵抗測定で評価し、Ga-Na溶液中の窒素脱離速度を調査した。