[12p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [12p-N101-5] Investigation on Dislocation Behavior in Homoepitaxial Growth of GaN Crystals grown by Na-Flux Method

〇Hyoga Yamauchi¹, Ricksen Tandryo¹, Takumi Yamada¹, Kosuke Murakami¹, Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:gallium nitride, Na-flux method, dislocation behavior

Naフラックス法によって作製された自立GaN結晶は非常に高品質であり、GaN系デバイスの普及に向けて量産が求められる。しかし、現状の育成プロセスでは多くの時間が必要となるため、近年ではプロセスの短縮に向け、得られた高品質な結晶を種基板として再利用し、厚膜化することを目指している。本研究では、ホモエピタキシャル成長時の転位挙動に着目し、厚膜化の際に種基板の品質を引き継ぐような育成条件の探索に取り組んでいる。