[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-9] AlGaN ホモ接合トンネルジャンクション深紫外LED の低電圧駆動（２）

〇永田 賢吾^1,2、三輪 浩士²、松井 慎一²、坊山 晋也²、齋藤 義樹²、久志本 真希¹、本田 善央³、竹内 哲也⁴、天野 浩³ (1.名大院工、2.豊田合成、3.名大未来材料・システム研究所、4.名城大)

キーワード：紫外線LED、トンネルジャンクション、AlGaN

本研究では、AlGaN ホモ接合TJ 部の構造最適化を行い、更なる低電圧駆動を試みた。本実験から得られた最も低い動作電圧は、電流密度 63 A/cm²において、8.8V を示した。またTJ LEDの動作電圧は、TJ部の合計膜厚を薄膜化すると、線形に低下することを確認した。これらの動作電圧低下は、n⁺-AlGaNの直列抵抗から推測される電圧上昇がおおよそ0.02V以下であったことから、p⁺-AlGaNの直列抵抗低減による効果だと考えられる。