[12p-N104-1~7] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[12p-N104-6] Electrical transport mechanism of wurtzite-type MnTe thin film

〇Mihyeon Kim¹, Shunsuke Mori¹, Yi Shuang¹, Shogo Hatayama¹, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Manganese-Telluride, transport mechanism

Manganese-Telluride (MnTe) 化合物は、室温ではNiAs型六方晶構造（NC-MnTe, 低抵抗状態）を持つ安定相を有し、温度の上昇に伴ってウルツ鉱型の六方晶構造（WZ-MnTe, 高抵抗状態）へ多形変化する。最近、MnTeはこれら結晶間の不揮発的な多形変態より、高速かつ省エネルギーを実現する新しいタイプのPCRAM用の相変化材料として期待されている。一方、安定相であるNC-MnTeの電気特性については盛んに研究が行われているが、WZ-MnTeに関する研究はまだ少なく、WZ-MnTeの電気特性は不明な点が多い。本研究では、WZ-MnTe薄膜における電気伝導メカニズムについて議論する。