[12p-N104-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12p-N104-6] ウルツ鉱型MnTe薄膜における電気伝導機構

〇金 美賢¹、森 竣祐¹、双 逸¹、畑山 祥吾¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1.東北大工)

キーワード：Manganese-Telluride、伝導機構

Manganese-Telluride (MnTe) 化合物は、室温ではNiAs型六方晶構造（NC-MnTe, 低抵抗状態）を持つ安定相を有し、温度の上昇に伴ってウルツ鉱型の六方晶構造（WZ-MnTe, 高抵抗状態）へ多形変化する。最近、MnTeはこれら結晶間の不揮発的な多形変態より、高速かつ省エネルギーを実現する新しいタイプのPCRAM用の相変化材料として期待されている。一方、安定相であるNC-MnTeの電気特性については盛んに研究が行われているが、WZ-MnTeに関する研究はまだ少なく、WZ-MnTeの電気特性は不明な点が多い。本研究では、WZ-MnTe薄膜における電気伝導メカニズムについて議論する。