[12p-N104-1~7] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[12p-N104-7] Understanding the mechanism of lowering resistivity in transition metal included amorphous chalcogenide

〇Shogo Hatayama^1,2, Keisuke Kobayashi^3,4, Yuta Saito¹, Paul Fons^1,5, Yi Shuang², Shunsuke Mori², Alexander V. Kolobov^1,6, Yuji Sutou² (1.AIST, 2.Tohoku Univ., 3.JASRI, 4.Kochi Univ. Tech., 5.Keio Univ., 6.Herzen State Pedagogical Univ.)

Keywords:Chalcogenide, Amorphous, Transition metal

遷移金属を含まないアモルファスカルコゲナイドの場合、カルコゲン欠陥がキャリアをトラップすることで高抵抗化すると考えられている。一方、遷移金属含有アモルファスカルコゲナイド(TM-AC)は比較的低い抵抗率を示すことが経験的に知られているものの、その詳細な機構については明らかになっていない。本研究では、TM-ACの一種であるCr₂Ge₂Te₆ (CrGT)に関して、アモルファスが低抵抗化する機構を調査した。