[12p-N104-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12p-N104-7] 遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明

〇畑山 祥吾^1,2、小林 啓介^3,4、齊藤 雄太¹、フォンス ポール^1,5、シュアン イ²、森 竣祐²、コロボフ アレキサンダー^1,6、須藤 祐司² (1.産総研デバイス技術、2.東北大工、3.JASRI、4.高知工科大、5.慶應大理工、6.ゲルツェン大)

キーワード：カルコゲナイド、アモルファス、遷移金属

遷移金属を含まないアモルファスカルコゲナイドの場合、カルコゲン欠陥がキャリアをトラップすることで高抵抗化すると考えられている。一方、遷移金属含有アモルファスカルコゲナイド(TM-AC)は比較的低い抵抗率を示すことが経験的に知られているものの、その詳細な機構については明らかになっていない。本研究では、TM-ACの一種であるCr₂Ge₂Te₆ (CrGT)に関して、アモルファスが低抵抗化する機構を調査した。