[12p-N106-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[12p-N106-3] 圧電トランスデューサを融合したSiフォノン導波路の作製と評価

〇黒子 めぐみ¹、畑中 大樹¹、岡本 創¹、山口 浩司¹ (1.NTT物性研)

キーワード：ナノメカニクス、フォノン、フォノン導波路

フォノン導波路において、その動作を非線形領域に拡張することで、安定した伝搬が期待されるソリトン波や弾性波コムなどが実現可能となり、フォノンデバイスの性能向上に繋がる。そのような導波路はGaAs系材料では実現が困難であり、より優れた圧電材料やトランスデューサの利用が必要となる。今回、優れた圧電特性を有するPZTをトランスデューサとして組み込んだSiフォノン導波路を作製し、その伝搬特性を評価検討したので報告する。