[12p-N106-1~11] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [12p-N106-5] Evaluation of IXS Spectral Line-Width at Low Energy Side Phonon Spectrum and Optical Mode of Bulk SiGe by Inelastic X-ray Scattering

〇Ryo Yokogawa^1,2, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Sylvia Yuk Yee Chung⁵, Motohiro Tomita⁵, Hiroshi Uchiyama⁶, Daisuke Ishikawa^6,7, Alfred Q. R. Baron^7,6, Takanobu Watanabe⁵, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ., 5.Waseda Univ., 6.JASRI, 7.RIKEN)

Keywords:SiGe, Inelastic X-ray Scattering, Phonon

SiGeは低熱伝導率を有し、熱電デバイスへの応用が期待され、その熱伝導率低下のメカニズムの解明に向けてフォノン物性の把握が重要となる。熱伝導の微視的機構を理解する上で重要な要素の一つであるフォノン寿命はスペクトル線幅と密接な関係を持つ。本発表ではSiGeにおいて、低エネルギー側で生じる特異なフォノンスペクトルおよび光学モード線幅をX線非弾性散乱を用いて詳細に評価した内容について報告する。