[12p-N106-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [12p-N106-5] X線非弾性散乱法によるBulk SiGe低エネルギー側フォノンスペクトルと光学モードの線幅評価

〇横川 凌^1,2、荒井 康智³、米永 一郎⁴、Sylvia Yuk Yee Chung⁵、富田 基裕⁵、内山 裕士⁶、石川 大介^6,7、Baron Alfred^7,6、渡邉 孝信⁵、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.JAXA、4.東北大学、5.早稲田大理工、6.JASRI、7.RIKEN)

キーワード：SiGe、X線非弾性散乱、フォノン

SiGeは低熱伝導率を有し、熱電デバイスへの応用が期待され、その熱伝導率低下のメカニズムの解明に向けてフォノン物性の把握が重要となる。熱伝導の微視的機構を理解する上で重要な要素の一つであるフォノン寿命はスペクトル線幅と密接な関係を持つ。本発表ではSiGeにおいて、低エネルギー側で生じる特異なフォノンスペクトルおよび光学モード線幅をX線非弾性散乱を用いて詳細に評価した内容について報告する。