[12p-N106-1~11] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[12p-N106-7] Design of Local Thermal Distribution in Electrode of Cavity-free Thermoelectric Device

〇Motohiro Tomita¹, Takeo Matsuki^1,2, Ayami Kurosaki¹, Katsuki Abe¹, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.AIST)

Keywords:thermoelectric, silicon, semiconductor

我々はSi-NWをSiO₂/Si基板上に直接置いたキャビティフリーμ-TEG構造を考案し、微細化により発電密度が向上することを実証した。これまでのデバイス動作の評価では、Si-NW部分や電極構造に着目してきたが、異種材料が接合している電極/Siコンタクト構造の部分については注目していなかった。本研究では、FEMを用いてSi-NW μ-TEGの発電量に対して、コンタクト構造が配置されるSiパッドの内部に発生する局所的な温度勾配の影響を評価した。