[12p-N106-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[12p-N106-7] キャビティフリー熱電発電素子における電極上に発生する局所温度勾配の設計

〇富田 基裕¹、松木 武雄^1,2、黒崎 天彩美¹、安部 克基¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：熱電変換、シリコン、半導体

我々はSi-NWをSiO₂/Si基板上に直接置いたキャビティフリーμ-TEG構造を考案し、微細化により発電密度が向上することを実証した。これまでのデバイス動作の評価では、Si-NW部分や電極構造に着目してきたが、異種材料が接合している電極/Siコンタクト構造の部分については注目していなかった。本研究では、FEMを用いてSi-NW μ-TEGの発電量に対して、コンタクト構造が配置されるSiパッドの内部に発生する局所的な温度勾配の影響を評価した。