[12p-N202-1~13] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[12p-N202-12] プラズモン場における光電気化学反応の異常同位体選択性

〇南本 大穂¹、佐藤 大樹¹、村越 敬¹ (1.北大院理)

キーワード：局在表面プラズモン共鳴、水素発生反応、同位体選択性

近年、プラズモン活性な金属構造をワイドギャップ半導体に導入することで、半導体単体では光応答を示さない広域な波長において光電変換能が獲得可能となることが明らかになっている。本研究ではプラズモニック構造を担持したp型半導体電極から成るプラズモニックカソード電極における同位体選択性を調査しその特異性を明らかにするとともに、分子触媒を用いた系の効率化に取り組んだ。