[12p-N203-1~12] 6.4 薄膜新材料

[12p-N203-1] [分科内招待講演] Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について

〇小川 湧太郎¹、洗平 昌晃^1,2、遠藤 哲郎^3,4、白石 賢二^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東北大国際集積セ、4.東北大通研)

キーワード：MRAM、トンネル磁気抵抗効果、磁気異方性