The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12p-N206-1~19] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Sep 12, 2021 1:00 PM - 6:15 PM N206 (Oral)

Mutsumi Sugiyama(Tokyo Univ. of Sci.), Katayama Tsukasa(Hokkaido Univ), Riena Jinno(Univ of Tokyo)

6:00 PM - 6:15 PM

[12p-N206-19] Highly oriented growth and characterization of ZnO thin films on surface-modified cyclic olefin polymer substrates

〇(D)Tomoaki Oga1, Naho Kaneko1, Satoru Kaneko2,1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:ZnO, polymer, surface modification

高い結晶性・配向性をもつワイドギャップ酸化物半導体薄膜をポリマー基板に形成することでフレキシブルデバイスへの応用が期待される。熱的安定性の低いポリマー基板上における配向成長には、低温での核形成や成長方位制御が必要であり、基板表面のパターン形成や酸化物バッファ層導入などの複合的な表面修飾プロセス応用が期待できる。本研究では、ポリマー基板の表面修飾がZnO薄膜の結晶成長と特性に及ぼす影響について検討した。