[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-N206-4] 新深紫外透明導電体：ルチル型TaドープSn_1-xGe_xO₂

〇(M2)長島 陽¹、廣瀬 靖¹、土井 雅人¹、福本 通孝¹、長谷川 哲也¹ (1.東大院理化)

キーワード：紫外透明導電体、酸化スズ、酸化ゲルマニウム

我々は最近、代表的な透明導電体の母材料であるSnO₂にGeO₂を固溶すると光学ギャップが増大し、酸素空孔やTaなどのドナー不純物の導入により導電性が発現することを報告した。今回は、TaドープSn_1-xGe_xO₂エピタキシャル薄膜（Ta:SGO）の電気輸送特性を詳細に調べ、深紫外光まで利用可能な透明導電体として有望なことを見出したので報告する。