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一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:15 N206 (口頭)

杉山睦(東理大)、片山司(北大)、神野莉衣奈(東大)

15:15 〜 15:30

△ [12p-N206-9] ミストCVD法を用いたβ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇梶田優気¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、ミストCVD法