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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:30 N301 (口頭)

安井伸太郎(東工大)、恵下隆(和歌山大)

16:45 〜 17:00

[12p-N301-13] 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

〇(M1)安田航¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：Hf酸化物、組成比、結晶構造