2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:30 N301 (口頭)

安井 伸太郎(東工大)、恵下 隆(和歌山大)

13:45 〜 14:00

[12p-N301-2] 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO3上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO3の構造及び強誘電性

窪田 るりか1、舘山 明紀1、伊東 良晴2、白石 貴久1、黒澤 実1、舟窪 浩1 (1.東京工業大学、2.日本大学)

キーワード:強誘電体、薄膜、非鉛材料

(Bi,K)TiO3(以下の文章中ではBKTと記載する)は 370℃以上の高いキュリー温度を示し、同じ正方晶を有するBaTiO3等と比較して大きな結晶異方性(c/a比)を持つため、非鉛強誘電体及び圧電体として応用が期待されている。正方晶材料の分極値や圧電性は、結晶性に依存することがPb(Ti,Zr)O3等で報告されているが、BKT薄膜についての報告は無く、またキュリー点以下の低温での作製例は極端に少ない。今回は、水熱合成法で(001), (110), (111)SrTiO3基板上に製膜したBKTエピタキシャル膜について報告する。