[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

△ [12p-N301-9] Y添加HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

〇近藤 真矢^1,2、志村 礼次郎³、寺西 貴志^1,3、岸本 昭¹、長崎 正雅²、舟窪 浩^3,4、山田 智明^2,4 (1.岡大院、2.名大工、3.東工大、4.東工大　元素戦略)

キーワード：電気光学効果、HfO2、強誘電体薄膜

近年、強誘電体材料を用いた電気光学 (EO) デバイスを電気デバイスと光デバイスの相互接続のための光集積回路へ応用することが期待されている。従来EOデバイスにはLiNbO₃やBaTiO₃などが用いられてきたが、デバイスの作製プロセスの面では課題があり、より安価でシリコンフォトニクスに適用しやすい材料開発が必要である。そこで、我々はCMOSプロセスと親和性の高いHfO₂基強誘電体薄膜に着目し、(100)配向のY添加HfO₂ (Y-HfO₂) 膜において強誘電性に起因するEO係数を報告した。本発表では、(100)及び(111)配向のY-HfO₂薄膜をRFマグネトロンスパッタリング法で作製し、電気光学特性の評価を行ったので、その結果について報告する。