2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[12p-N302-1~17] 12.2 評価・基礎物性

2021年9月12日(日) 13:30 〜 18:15 N302 (口頭)

山田 洋一(筑波大)、櫻井 岳暁(筑波大)、早川 竜馬(物材機構)

13:30 〜 13:45

[12p-N302-1] In-situ微小角入射小角X線散乱法を用いた塗布型π共役高分子の薄膜形成ダイナミクスの検討

籔内 湧太1、蓑輪 裕1、永松 秀一2、藤井 彰彦1、尾﨑 雅則1 (1.阪大院工、2.九工大情報工)

キーワード:π共役高分子、塗布プロセス、小角X線散乱法

塗布型π共役高分子の薄膜形成過程における動的な微小角入射小角X線散乱測定について報告する.溶液が乾燥して薄膜化し始めると,高分子のラメラ構造に由来する回折ピークが現れ,時間とともに回折強度が増加するとともにピーク位置が広角側にシフトした.このような変化は,溶液乾燥時に溶媒分子を含み膨潤した凝集体が形成され,薄膜の乾燥ともに溶媒が凝集体構造外へ排出されてラメラスタック間隔が縮小したためと考えられる.