The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

Sun. Sep 12, 2021 1:30 PM - 4:30 PM N303 (Oral)

Toshihiro Nakaoka(Sophia Univ.), Ryuichi Ohta(NTT)

4:15 PM - 4:30 PM

[12p-N303-11] Effects of electric field screening on terahertz wave emissions in a GaAs multiple film

Takayuki Hasegawa1, Osamu kojima2, DaeGwi Kim3 (1.Osaka Inst. Technol., 2.Kobe Univ., 3.Osaka City Univ.)

Keywords:Ultrafast phenomena, Terahertz, Surface electric field

半導体表面をフェムト秒レーザーで励起すると、サブピコ秒領域において様々な過渡現象が生じる。過渡現象のダイナミクスは、表面電場に強く依存することから、電場制御に基づく調査は重要である。本研究では、光励起キャリアが電場を遮蔽する効果に着目し、その効果が過渡現象にどのように反映されるのかをテラヘルツ波放射の観点から調査した。