[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[12p-N303-11] GaAs多層膜におけるテラヘルツ波放射に対する電場遮蔽効果

〇長谷川 尊之¹、小島 磨²、金 大貴³ (1.大阪工大工、2.神戸大院工、3.阪市大院工)

キーワード：超高速現象、テラヘルツ、表面電場

半導体表面をフェムト秒レーザーで励起すると、サブピコ秒領域において様々な過渡現象が生じる。過渡現象のダイナミクスは、表面電場に強く依存することから、電場制御に基づく調査は重要である。本研究では、光励起キャリアが電場を遮蔽する効果に着目し、その効果が過渡現象にどのように反映されるのかをテラヘルツ波放射の観点から調査した。