[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [12p-N303-2] InAs二次元電子ガスにおける分数量子ホール状態のゲート制御

〇(B)小松 颯¹、入江 宏²、秋保 貴史²、村木 康二²、野島 勉³、赤﨑 達志¹ (1.高知高専、2.NTT基礎研、3.東北大金研)

キーワード：分数量子ホール効果、量子井戸、InAs/AlGaSbヘテロ構造

分数量子ホール(FQH)状態と超伝導体の界面において，パラフェルミオンが生成されることが理論的に予測され，FQH-超伝導接合の研究が精力的に進められている。本研究では，InAs/AlGaSb量子井戸中の2DEGにおいてν = 1/3, 2/3, 4/3, 5/3状態を観測するとともに，明瞭なFQH状態の観測には量子井戸のポテンシャル形状制御が重要であることを見出したので報告する。