[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[12p-N303-4] GaAs/AlAs非対称2重量子井戸構造における電界ドメイン形成とキャリア輸送の解析

〇(M1)西山 清流¹、室原 隆人¹、松井 智德¹、細田 誠²、赤羽 浩一³、大谷 直毅¹ (1.同志社大理工、2.静岡大電研、3.情報通信研究機構)

キーワード：GaAs/AlAs多重量子井戸、半導体超格子

本研究では，非対称2重量子井戸構造のフォトルミネッセンス特性の逆バイアス依存性の測定結果と，伝達行列法を用いたサブバンドエネルギーの計算値をもとに，素子内部電界分布とキャリア輸送解析を行った．学術講演会では，本構造において確認された共鳴トンネリングによるキャリア輸送に起因する，電界ドメインの形成の詳細について報告する．