[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [12p-N303-6] 希薄窒化GaAsとInAs量子ドットのトンネル結合構造におけるスピンダイナミクス

〇佐藤 紫乃¹、中村 裕人¹、朴 昭暎¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：半導体量子ドット、希薄窒化ガリウムヒ素、スピンダイナミクス

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体量子ドット(QD)はスピン機能光デバイスの光学活性層として注目されているが，高温ではQDから周辺の3次元バリアへ熱脱離し，バリア中でスピン緩和した電子がQDへと再注入することでスピン偏極度が低下するという課題がある．本研究では，室温でスピンフィルタ―としてはたらく希薄窒化GaAsと InAs QDをトンネル結合させ，QDに注入する電子のスピン偏極度を高めることで室温での発光円偏光度を向上させることに成功した．