[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[12p-N303-9] 光電流マッピング法を用いた多重積層InAs/GaAs量子ドット構造光伝導アンテナの電気特性評価

〇南 康夫^1,2、中塚 玲雄¹、北田 貴弘¹、原田 幸弘³、海津 利行³、小島 磨³、喜多 隆³、和田 修⁴ (1.徳島大理工、2.徳島大学pLED、3.神戸大院工、4.神戸大)

キーワード：InAs/GaAs 量子ドット、光伝導アンテナ

テラヘルツ波の通信利用を目的として、光通信帯で動作するテラヘルツ波発生・検出用の光伝導アンテナ（PCA）の研究・開発が行われている。我々はこれまでに長波長の光通信帯でのPCA開発を目指し、GaAs層中に埋め込んだ多層InAs量子ドット構造を作製してきた。本研究では、顕微光学系を構築し、光伝導アンテナに532 nmのレーザー照射し、誘起される電流を1 µmの空間分解能で計測した。