[12p-N304-1~14] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12p-N304-1] Multistep Rise Phenomenon in PN-Body Tied SOI-FET Multi-Finger Structure and its Improvement Method

〇Takayuki Mori¹, Jiro Ida¹, Kengo Nakata¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech.)

Keywords:SOI MOSFET, steep subthreshold slope

我々はこれまで新構造デバイスであるPN body-tied (PNBT) SOI-FETの研究を行ってきた. PNBT SOI-FETは非常に急峻なSubthreshold Slope (SS) を持つデバイスで、極低消費電力CMOSや、ニューロン回路への応用が期待できる. 本研究では, PNBT SOI-FETを並列接続する方式を検討した. 通常, MOSFETを並列接続する際はマルチフィンガーを使用するが, PNBT SOI-FETが持つBody端子の形状によって得られる特性が変わることが分かったので報告する.