[12p-N304-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-N304-1] PN-Body Tied SOI-FETマルチフィンガー構造で発生する階段状立上り現象とその改善方法

〇森 貴之¹、井田 次郎¹、中田 賢吾¹ (1.金沢工大)

キーワード：SOI MOSFET、steep subthreshold slope

我々はこれまで新構造デバイスであるPN body-tied (PNBT) SOI-FETの研究を行ってきた. PNBT SOI-FETは非常に急峻なSubthreshold Slope (SS) を持つデバイスで、極低消費電力CMOSや、ニューロン回路への応用が期待できる. 本研究では, PNBT SOI-FETを並列接続する方式を検討した. 通常, MOSFETを並列接続する際はマルチフィンガーを使用するが, PNBT SOI-FETが持つBody端子の形状によって得られる特性が変わることが分かったので報告する.