[12p-N304-1~14] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12p-N304-4] Influence of bias patterns for forming voltage of the HfO_x-based ReRAM

〇(M2C)Masahiro Suzuki¹, Yoshiaki Ishii¹, Masahiro Moniwa¹ (1.Tokyo Univ. of Technology)

Keywords:ReRAM, Non-volatile memory, semiconductor

前回、電極材料の酸化エネルギーの違いの影響を、フォーミング電圧に着目して比較検討した。上部電極に、Hf, Al, Ni （酸化エネルギー： Hf < Al < Ni）を選び、下部電極はHfとした。今回、I-V 測定時の電圧印加パターンを 変えるなどして、より詳細に評価を行った。
フォーミング電圧の電圧パターン依存性は認められなかった。すなわち、電圧履歴の影響は見られず、電極材料の組み合わせによって決まっていることが確認できた。